二 分立器件的现状和趋势

1 半导体分立器件的现状

作为半导体产业的二大分支之一，半导体分立器件近年来由于计算机及外设、电子通信、网络设备与仪器仪表、汽车电子、LED显示屏和电子照明等领域的高速发展，带动了半导体分立器件市场的迅速扩展，从而为国内分立器件的发展带来机遇，目前国内共有各类分立器件企业（包括所有从事半导体分立器件芯片制造、封装及测试企业）300余家，从业人员超过10万人。相关资料显示2005年中国分立器件总产量为1294.9亿支，比2004年增长了23.4％，实现销售收入613.2亿元，同比增长了35.9%，而今年的增长将比2005年更高。2005年，国内最大的分立器件制造企业——江苏新潮科技集团公司（长电科技）其销售额达14.2亿元，吉林华星电子集团有限公司的销售额为5.21亿元。截止2005年底，我国拥有4-5英寸分立器件芯片生产线的企业超过20家，其中芯片产量较大的主要有吉林华星、华润华晶、深圳深爱、江阴新顺、苏州固锝、天津中环等。吉林华星6英寸分立器件生产线已投入生产。到2010年我国分立器件市场规模将达到1730亿元。未来五年，半导体分立器件产业发展预计其复合增长率将达到18%左右。到2010年，我国半导体分立器件产业销售额将达到1400亿元。

目前，国内分立器件市场现状是：生产型小国，需求额大国，外商呈主导，进出口剧增，具体表现：2005年前二十大分立器件供应商仅有新潮集团（长电科技）和华微电子两家内资企业，其余均为外商企业，其中日本厂商九家、美国厂商四家、欧洲厂商三家、韩国厂商一家、中国台湾厂商一家，这二十家企业2005年的市场销售额为417.17亿元。占市场总规模的64.9%。2005年我国半导体分立器件进口数量和金额分别为2054.3亿支、110.2亿美元。比2004年分立器件进口数量和金额分别增长了18.6%和48.5%。出口数量和金额分别为1786.9亿支和41.8亿美元。比2004年分别增长了24.9和72%。2005年我国半导体分立器件的贸易逆差为68.4亿美元，比2004年增加了37.1%。2005年我国半导体分立器件（含光电子器件）市场额为1160.4亿元。比2004年增长56.45%。占全球分立器件（含光电子器件）市场规模的33.3%，而国内供给仅满足国内需求的一半。一些中低端分立器件和纯代工企业已开始大量进入国际市场。

2 半导体分立器件市场的热点

半导体分立器件未来市场的热点有以下几个方面：汽车电子、电子照明、工业自动化、仪器仪表、医疗电子、电子显示与3G通讯等领域，受这些热点新兴应用市场领域的带动，功率半导体器件（包括双极型和MOS）、光电子器件（特别是高亮度发光管）、射频与微波器件、功率肖特基二极管以及霍尔器件等的市场将会有很大的增长。

比如：1、功率器件用量最大，2005年的市场增长达到19.2%，销售额为325.3亿元，其市场份额达到50.6%，特别是ST、IR、ON这几家做功率器件的公司今年市场表现相当好，而且还呈进一步上升的势头，像当前国内的电动车控制器所用的低压大电流MOSFET，2006年中国国内的用量约有5.5亿元，2007年预计超过7-8亿元，而且主要的市场集中在华东地区。功率MOS器件除了在电动车中使用以外，在电源、UPS、节能灯中也被广泛应用，而且用量也是非常巨大。

2、光电二极管2006年销售额增长最为迅速，其增幅为25.3%，其规模为116.78亿元，其在整体市场中的份额为18.1%。

3、贴片小信号二、三极管受整机小型化发展趋势，应用领域最广，长电科技、乐山无线电公司已相当有规模。华东地区的一些中型规模的工厂明年也会增加产能，如：常州银河、常州星海、扬州日新（原是九星）、无锡红光、桂林斯壮、佛山兰箭、广东粤晶等均在上量扩大规模，连科威这种传统做TO-92的企业也已规划做贴片，所以小信号贴片器件明年的市场会非常热闹。

3 新兴的热点对分立器件的要求
这些新兴的热点对分立器件的设计技术和制造技术有较高的要求，因为这些半导体分立器件大部分属于分立器件中的高端产品，设计规划、设计思想都和过去的常规产品不同，要有新的设计思想、新的结构。

要求具备较高的工艺技术与工艺水平，加工线宽推进到亚微米甚至深亚微米。在使用上要求器件有很高的可靠性和参数的一致性。

4 跨国公司在华设厂对国内市场的冲击

中国半导体高速增长的市场和低价、高素质的劳动力吸引着国外跨国公司纷纷在大陆建立生产基地，较早进入的有On Semiconductor（安森美）、ST Micro electronic （意法半导体），而现在RENASAS（瑞萨科技）、Rohm（罗姆）、Philips Semiconductor（飞利浦半导体）、International Rectifier（国际整流器公司）、Infineion(英飞凌)也已纷纷跟进，这对国内的分立器件厂商的冲击是客观存在的。就整个半导体产业链来说，跨国公司从未停止过向中国的转移，从设计公司、晶圆厂、组装厂、测试工厂等，但当前中国的半导体产业却是越来越繁荣，就像开饭店一样，大家喜欢开在一起，反而容易成功。但是也不是企业不努力就能成功的，国外企业跟中国企业比他们没有成本优势，所以在低端产品上很难跟内资企业竞争，事实已证明跨国公司在一些常规产品上越来越被动了，同时也成就了像长电科技一样的一批企业。由于企业有资金、技术、人力资源的积累，涉及高端产品内资企业也在研究，一旦成功，跨国公司又会放弃，所以我们跟跨国公司比有优势也有劣势，劣势就是我们的技术水平不如他们，但是这种劣势也会随着跨国公司来得越来越多，交流及人才流动而改善，一旦我们将差距搞清楚了，我们的竞争能力就强了。

5 国内分立器件厂商对应的策略

分立器件厂商要在新形势下，应市场需求而动，加大自身产品研发的投入，提升技术创新能力，提高研发水平，研究器件的新理论、新结构，开发新产品，重点开发市场热点产品；

加强研发力量，培育设计团队，跟踪世界半导体分立器件的发展趋势，开发出具有自主知识产权的新产品；

重视制造工艺的研究，开发新的制造工艺技术，提高器件的性能价格比，增强产品竞争力。

同时，我们应该看到，中国已经是世界半导体市场的一部分。随着跨国公司来华建设、转移的生产线越多，国内企业应正视跨国公司转移生产线所带来的冲击。对有准备的内资企业是福音，而对没有准备的公司就是灾祸。首先应分析国外分立器件生产线的产品门类和产品系列情况，调整自身产品结构、扬长避短。其二是提高自身产品的技术含量与质量，做到优于其它同类产品的水平。其三是强化企业内部管理尤其在细节处着手，通过内部点滴挖潜，精细管理，高效工作抢占制高点，把握机会争取取得比市场平均更高的增长率。

6 分立器件发展趋势

从分立器件的封装形式来看，其发展也将是全方位的。但主要方向仍将以小型化为主，这主要是由便携式产品的特点所决定，其次高功率、高散热、高可靠性、超高频、集成化也将成为封装热点和发展方向。

小型化的概念可以分两个层面来理解：一是指同样的功能产品的体积越来越小，二是指同样的体积内功能越来越大，其结构特点应该以贴片式封装为主，在这一方面长电科技的FBP或DFN以及长电先进的WLCSP仍将维持其结构优势，但分立器件的WLCSP可能会受耐电流及成本方面的制约更多一些。

高功率（包括MOS-FET的低导通电阻）、高散热一方面是因为随着产品功能提升其能耗进一步增加，另一方面与小型化要求也有着一定内在联系，即原来较大封装尺寸如TO-263会要求我们用较小的封装尺寸如TO-252来实现，在电源管理和汽车电子市场这种需求尤为突出，同时功率的增大可能对产品耐电流方面的要求会比耐电压方面的要求来得更高。每个客户对可靠性要求总是越高越好，而高的可靠性对汽车电子来说则更为重要。

高频产品的需求随着各种无线传输和非接触识别技术的发展日益强劲，它给封装测试带来了更高的要求和发展机会，封装有寄生电感、电容以及信号传输的损耗都要求降到最低，而测试技术则重点要保证没有外部的干扰影响到对产品的正确判别，这些对封测厂的技术和设备来说都是挑战。

集成化在这里是指多个分立器件封装在一个塑封体内，或是一个塑封体同时封装一个IC芯片和一个或多个分立器件芯片，也有一些其他比较特殊，如分立器件芯片与无源器件封装在一起的情况。

由此可见，分立器件制造厂商需密切跟踪整机终端市场，跟踪世界半导体分立器件的发展趋势，从市场、研发、工艺、技术、品质、成本等全方位策划，才能适应热点市场的需求。

7 半导体分立器件未来发展趋势

半导体产业的发展始于分立器件，是半导体产业的最初产品。尽管集成电路的发明和集成电路的迅速发展使一些器件已集成进集成电路，但由于分立器件的特殊性：如：使用灵活性可在众多线路中应用、低成本制做芯片的工艺，高成品率，不可替代性，如大功率、高反压、高频，特殊器件如肖特基以及特殊工艺的分立器件等，使分立器件仍为半导体产品的基本支持，几十年来没有影响半导体分立器件按自身发展的规律向前发展，尽管分立器件销售额在世界半导体总销售额中所占比重逐年下降，但是在世界半导体市场中分立器件每年的销售额仍以1位数平稳增长，国内半导体分立器件的发展也是如此，且以每年两位数的速度增长，高于世界的增长水平。

由此可见，半导体分立器件仍有很大的发展空间，半导体分立器件通常总是沿着功率、频率两个方向发展，发展新的器件理论、新的结构，出现各种新型分立器件，促进电子信息技术的发展。

我国半导体分立器件未来的发展趋势是：

（1）发展电子信息产品急需的高端分立器件，如Si、GaAs微波功率器件、功率MOS器件、光电子器件、变容管及肖特基二极管等；

（2）发展以SiGe、SiC、InP、GaN等化合物半导体材料为基础的新型器件；

（3）跟踪世界半导体分立器件发展趋势，加强对纳米器件、超导器件等领域的研究；

（4）分立器件封装技术的发展趋势仍以片式器件为发展方向，以适应各种电子设备小型化、轻量化、薄型化的需要。封装形式的发展，一是往小型化方向发展，由常用的SOT-23、SOD-123型向尺寸更小的如SOT-723、SOD-723、DFN、FBP等封装发展。二是片式小型化往功率器件方向延伸，从1W功率的SOT-89一直到功耗10W的TO-252以及功率更大的大功率封装如TO-247、TO-3P等。