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晶体硅太阳能电池发射极形成的若干方法

luyued 发布于 2011-01-12 21:42   浏览 N 次  

时间:2010-01-08 来源:网络 www.ncksolar.com

晶硅太阳能电池的核心组成部分是发射极,即p-n结。大部分硅电池的生产通过采用单步高温扩散工艺来实现对硅晶格的掺杂。本文详细介绍了该扩散工艺的特性及工艺过程中所涉及到的变量,试图通过对这些变量的研究对发射极工艺进行优化。


硅料价格又降了。600多了,不过价格还是偏高,多晶硅片现在还是紧张,估计在2月份行业都会复苏了。来自www.ncksolar.com 的分析
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此外,还介绍了其他制作发射极的技术,以期实现太阳能电池效率的最大化。理想情况下,太阳能电池工作的基本原理是光吸收后产生电子-空穴对,电子和空穴扩散或漂移到相应的电荷选择界面处,再在界面处分开成为正电荷或负电荷(即收集过程,见图1)。电荷的收集导致界面两端形成电势差,也就是我们所说的电池电压。当外接电路时,电荷将会流动形成通路,从而产生电流...

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